Fontes HiPIMS & HiBi Bias
Fontes HiPIMS
A pulverização de Magnétron por impulso de alta potência (HiPIMS) é a deposição de filmes finos de Magnétrons padrão, usando descargas de plasma pulsado, em que uma grande fração do material usado no processo de deposição chega à peça de trabalho como íons ao invés de neutros comumente usados.
O benefício de ter um fluxo de deposição ionizado é que ele pode ser guiado e manipulado por campos elétricos e magnéticos controlados pelo engenheiro de processo.
O alto grau de ionização do material de deposição leva ao crescimento de filmes de compostos elementares lisos e densos, bem como depositados de forma reativa, e permite o controle da composição de fases, microestrutura, bem como propriedades mecânicas e ópticas.
Além disso, o HiPIMS leva a uma melhor adesão do filme, permitindo a deposição uniforme em substratos complexos, bem como a diminuição da temperatura de deposição.
Fontes HiBi Bias
A fonte de alimentação de polarização pulsada HiBi é especialmente adaptada para processos mais exigentes, como HiPIMS e processos HiPIMS reativos, em que fontes de alimentação convencionais não fornecem tensão de polarização estável.
Usando a tecnologia de pulsação de frequência média (100s de kHz) é possível também polarizar substratos pouco condutores, como o SiO2, ou substratos cobertos com revestimentos não condutores. Observe que o HiBi não se limita aos processos de deposição HiPIMS, mas é igualmente eficaz em outros sistemas PVD.
Características principais
Fontes HiPIMS
- Teste de gama completa de Magnétron e processos
- Processo de descarga estável e robusto
- Ativado externamente e controlado na configuração mestre-escravo
- Voltagem de pico de 1000 V
- Modos de regulação: Tensão, corrente, potência e corrente de pulsação
- Frequência de pulso até 10.000 Hz
- Tempo de reação de controle do arco <2 µs
- Disponível em três opções de modelos: 1 kW, 6kW ou 10kW, com as respectivas correntes de 100, 600 e 1000A.
Fontes HiBi Bias
- Adaptado para manter uma tensão de polarização mesmo durante descargas HiPIMS
- A pulsação de frequência média garante uma tendência eficaz mesmo para substratos não condutores
- Fácil de instalar e substituir qualquer fonte de polarização de substrato tradicional
Ficha técnica
Fonte HiPIMS 1 kW HiPSTER 1
- Potência média: 1000 W
- Tensão de pico: 1000 V
- Corrente de pico: 100 A
- Modos de regulação: Tensão, corrente, potência, corrente de pulso
- Frequência de pulso: 1-10000 Hz
- Duração de pulso: 2.5 µs a 1000 µs
- Controle de arco: Tempo de reação < 2 µs
Fonte HiPIMS 6 kW HiPSTER 6
- Potência média: 6000 W
- Tensão de pico: 1000 V
- Corrente de pico: 600 A
- Modos de regulação: Tensão, corrente, potência, corrente de pulso
- Frequência de pulso: 1-10000 Hz
- Duração de pulso: 2.5 µs a 1000 µs
- Controle de arco: Tempo de reação < 2 µs
Fonte HiPIMS 10 kW HiPSTER 10
- Potência média: 10000 W
- Tensão de pico: 1000 V
- Corrente de pico: 1000 A
- Modos de regulação: Tensão, corrente, potência, corrente de pulso
- Frequência de pulso: 50-10000 Hz
- Duração de pulso: 3.5 µs a 1000 µs
- Controle de arco: Tempo de reação < 2 µs
Fonte Pulsed Bias HiBiPSTER 10
- Polarização pulsada: 100 kHz (onda quadrada bipolar)
- Saída: modo AC significando uma self-bias fixa em valor constante
- Entrada: Unidade DC incluída EA-PS 8160-04 640W, 0-160V, 0-4ª, com tensão de entrada VAC 90V a 264V
- Modo de gravação do substrato: Máx. 3kV pico a pico
- Modo de crescimento do substrato com bias: Máx. ~ 300 V pico a pico
Unidade de sincronização HIPSTER
- Pulsação sincronizada de até oito unidades das fontes da série HiPSTER
- Pulsos sincronizados e atrasados repetidos em uma frequência comum
- Disparador interno e externo, disponível para sincronizar outros dispositivos, ou atuar como mestre
- Deposição de múltiplas camadas usando mais de um Magnétron, onde o usuário deposita uma sequência repetida de camadas com espessura de camada controlada
- Co-sputtering de compostos de mais de um Magnétron
- Tendência de substrato sincronizada e atrasada para aceleração seletiva de íons, onde diferentes espécies iônicas ocorrem na vizinhança do substrato, em diferentes pontos no tempo
- Diagnóstico de processo HiPIMS sincronizado, acionando o equipamento de diagnóstico externo
Unidade de sincronização HIPSTER Sync Unit
- Tensão de entrada AC: 1 fase + N, 100-240 VAC, 50/60 Hz
- Corrente de entrada em 230 V: 0.07 A
- Trigger Channels Out: Entrada 5V CMOS referenciada no solo
- Refrigeração: Refrigeração a ar
- Grau de poluição: 2 (ou melhor). O ar de resfriamento deve estar normalmente livre de vapores corrosivos e partículas condutivas
- Norma CE
